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日前宣布,已在自有产线上完成8英寸(200mm)碳化硅晶圆的关键工艺验证,打通了从衬底、外延到器件制程的整体流程,为后续向更大尺寸平台过渡积累了宝贵的工…

一个适配器同时给手机、平板与笔记本供电,正成为差旅与办公人群的刚需。多口氮化镓充电器凭借高功率密度受到市场追捧,面向这一细分推出适配140W及以上多口方…

近日宣布,其新一代沟槽栅(Trench)结构SiC MOSFET已完成流片并通过初步电性能测试,芯片在导通电阻与开关特性上较上一代平面栅产品有明显优化,…

人工智能算力爆发推高数据中心用电,电源效率每提升一个百分点都意味着可观的能耗与碳排放节约。面向数据中心电源市场推出碳化硅(SiC)功率器件方案,助力服务…

在其最新一代1200V SiC MOSFET产品上实现了短路耐受能力的明显提升,器件在规定条件下的短路耐受时间超过行业常规水平,为电动汽车主驱等对安全性…

单机柜功率从数千瓦攀升至数十千瓦,AI服务器对电源功率密度提出前所未有的要求。面向服务器与通信电源推出氮化镓(GaN)功率器件方案,以更高开关频率换取更…

日前透露,其面向800V高压电驱平台开发的双面散热SiC功率模块已进入车厂联合验证阶段,凭借更高的功率密度与更优的散热能力,有望成为下一代高性能电驱系统…

随着AI训练集群功率密度飙升,数据中心散热方式正加速由风冷向液冷过渡,配套的供电架构也在同步重构。围绕高密度电源货架(Power Shelf)与母线供电…

宣布,其第四代SiC肖特基二极管(SBD)已完成长期高温反偏(HTRB)等一系列严苛可靠性考核,漏电流稳定、浪涌承受能力进一步增强,进一步巩固了公司在S…

5G基站高密度部署与边缘算力下沉,使通信电源的能耗与散热问题日益突出。面向通信与遥感领域推出碳化硅(SiC)功率器件方案,助力基站开关电源在高效率与小型…

近日在SiC晶圆超薄减薄工艺上取得进展,成功将器件晶圆的衬底厚度减薄至更薄水平并保持较高成品率,使器件的衬底电阻与热阻同步下降,为进一步降低SiC器件损…

逆变焊机正朝着更轻便、更节能的方向演进,而功率器件是决定其体积与效率的关键。面向工业电源市场推出碳化硅(SiC)方案,助力逆变焊机在保持大电流输出的同时…