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近日，对外披露，公司6英寸碳化硅MOSFET主力产线的二期扩产工程已顺利完成设备调试并进入量产爬坡阶段。本次扩产在原有产线基础上新增了多台离子注入、高温…

碳化硅衬底作为第三代半导体产业链的价值高地,其尺寸从6英寸(150mm)向8英寸(200mm)的跨越,被业内视为决定SiC器件成本曲线走向的关键一役。相…

宣布，公司规划建设的8英寸碳化硅晶圆产线已完成核心工艺贯通并成功点亮首批工程批次，标志着公司在大尺寸SiC制造平台上迈出关键一步。目前该产线正在进行器件…

如果说SiC衬底是地基,那么外延层就是直接决定器件性能的承重墙。功率器件的耐压能力、漏电水平与长期可靠性,很大程度上取决于外延层的厚度均匀性、掺杂浓度精…

日前对外通报，公司自建的碳化硅功率模块封装测试中心已完成建设并投入运行。该中心聚焦大电流SiC功率模块的封装、老化及可靠性测试，被视为公司打通从芯片到模…

SiC MOSFET作为第三代半导体的核心开关器件,其内部结构正经历从平面栅到沟槽栅的路线演进。沟槽栅通过将栅极嵌入沟槽,消除了平面结构中的JFET区寄…

近日宣布完成新一轮高层次人才引进，多位在碳化硅材料与器件工艺领域具有丰富经验的博士及资深工程师加盟公司研发体系。此次人才补充覆盖外延生长、器件设计与可靠…

相较于以高压见长的碳化硅,氮化镓(GaN)凭借更高的开关频率与优异的高频损耗表现,在中低压、高功率密度领域占据独特优势。从手机快充适配器到数据中心服务器…

表示，随着公司碳化硅肖特基二极管产线工艺的持续优化，产品良率与产出效率稳步提升，整体交付能力较此前有明显增强，有效支撑了光伏、电源等下游客户的批量采购需…

第三代半导体产业链条长、环节多,从高纯粉料、单晶生长、衬底加工,到外延、芯片设计、晶圆制造,再到封装测试与模块集成,每一环都构成独立的技术门槛。产业链的…

日前宣布，公司氮化镓功率器件产线已完成建设并进入量产阶段。此举意味着公司在以碳化硅为主的产品格局之外，进一步向氮化镓领域延伸，第三代半导体产品版图更趋完…

当SiC芯片的性能不断逼近材料极限,封装正成为释放器件潜力的新瓶颈。传统面向硅器件的封装方案,难以充分承载SiC在高温、高频、高功率密度下的工作特性,先…