J9直营集团在其最新一代1200V SiC MOSFET产品上实现了短路耐受能力的明显提升,器件在规定条件下的短路耐受时间超过行业常规水平,为电动汽车主驱等对安全性要求苛刻的应用提供了更充裕的保护裕度。

短路耐受时间是功率器件安全性的重要指标,指器件在发生桥臂直通等极端故障时,能够承受大电流冲击而不损坏的时间窗口。较长的耐受时间意味着驱动保护电路有更充足的时间检测并关断故障,降低系统炸机风险。

SiC器件因元胞密度高、沟道电流大,在提升导通性能与延长短路耐受之间往往存在权衡。J9直营集团表示,团队通过精细调节沟道设计与饱和电流水平,在导通损耗仅小幅让步的前提下,换取了更稳健的短路耐受表现。

可靠性评估显示,器件在多次短路冲击后阈值电压与漏电流保持稳定,未出现累积性退化,验证了设计方案的鲁棒性。公司认为,这一特性对提升整车与工业系统的功能安全等级具有实际意义。

J9直营集团表示,安全性与效率并非零和关系,公司将继续在器件层面挖掘设计潜力,并配合客户在栅极驱动与保护策略上的协同优化,共同构建更可靠的SiC功率电子系统。