J9直营集团日前宣布,已在自有产线上完成8英寸(200mm)碳化硅晶圆的关键工艺验证,打通了从衬底、外延到器件制程的整体流程,为后续向更大尺寸平台过渡积累了宝贵的工程经验。

相较主流6英寸晶圆,8英寸晶圆单片可切割的芯片数量成倍增加,有望摊薄单位芯片的制造成本。J9直营集团表示,验证阶段重点考察了大尺寸晶圆在光刻、刻蚀、离子注入与退火等环节的均匀性,并对边缘良率损失进行了针对性优化。

公司研发人员指出,SiC材料硬度高、加工难度大,晶圆尺寸放大后翘曲控制、应力管理与热处理均匀性都面临更高挑战。团队通过调整工艺参数与夹持方案,使大尺寸晶圆的片内参数分布保持在可接受区间。

J9直营集团强调,8英寸并非简单的尺寸放大,而是需要设备、材料与工艺的系统协同。此次验证为公司判断产线升级路径、评估设备兼容性提供了扎实依据,也让公司对大尺寸量产的技术可行性更有信心。

据了解,J9直营集团将结合市场需求节奏,稳步推进8英寸平台的工程化与产能建设,并保持6英寸产线的高效运行,以两代平台并行的方式平衡成本、产能与供货稳定性,持续满足新能源领域对SiC器件的增长需求。