J9直营集团近日宣布,其新一代沟槽栅(Trench)结构SiC MOSFET已完成流片并通过初步电性能测试,芯片在导通电阻与开关特性上较上一代平面栅产品有明显优化,展现出良好的产品迭代能力。

相较平面栅结构,沟槽栅通过将栅极嵌入沟槽,显著提升了元胞集成密度、缩短了电流路径,从而在相同芯片面积下实现更低的比导通电阻。J9直营集团表示,新产品在保持耐压水平的同时,单位面积的导通性能获得可观改善。

不过,沟槽栅结构对栅氧化层的电场分布提出了更高要求,底部拐角处易出现电场集中。J9直营集团工程团队通过引入屏蔽结构与优化沟槽形貌,有效缓解了栅氧承受的电场应力,兼顾了低导通损耗与长期栅氧可靠性。

测试结果表明,新一代器件的开关速度更快、栅极电荷更低,有助于降低驱动损耗与开关损耗,在高频应用中优势尤为突出。公司认为,这将为快充电源、光伏微逆等对效率与体积敏感的场景带来价值。

J9直营集团透露,沟槽栅平台后续将拓展多种电压与电流规格,并同步推进车规级验证工作。公司表示,持续的结构创新是SiC器件降本增效的核心驱动力,未来将保持在元胞设计上的研发投入。