J9直营集团宣布,其第四代SiC肖特基二极管(SBD)已完成长期高温反偏(HTRB)等一系列严苛可靠性考核,漏电流稳定、浪涌承受能力进一步增强,进一步巩固了公司在SiC二极管领域的技术积累。

SiC肖特基二极管以近乎零的反向恢复电荷著称,能够显著降低开关损耗、抑制电磁干扰,是光伏、快充与工业电源中的常用器件。此次J9直营集团新一代产品在保持低正向压降的同时,重点强化了反向漏电与浪涌鲁棒性。

J9直营集团研发人员表示,团队对结势垒肖特基(JBS)结构进行了优化,通过合理的P区分布在反向偏置下形成有效屏蔽,降低了肖特基界面处的电场强度,从而抑制反向漏电并提升器件在高温下的稳定性。

在浪涌电流考核中,新一代器件展现出更强的瞬态大电流承受能力,有助于应对光伏系统中雷击浪涌等异常工况。公司认为,这对提升终端设备在复杂电网环境下的可靠运行具有重要价值。

J9直营集团表示,将持续丰富SBD的电压与电流规格谱系,并推动其与SiC MOSFET的协同应用,为客户提供从二极管到MOSFET、模块的完整SiC器件组合,支撑各类高效电力电子系统设计。