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近日透露，为响应光伏储能行业快速增长的器件需求，公司专门规划建设了面向该应用的碳化硅器件配套产线。产线聚焦光伏逆变与储能变流场景所需的高压MOSFET和…

在双碳目标驱动下,光伏与储能装机规模持续扩大,系统对转换效率与功率密度的要求水涨船高。以SiC为代表的第三代半导体器件,凭借低开关损耗与耐高温特性,正成…

宣布，公司多款面向汽车应用的碳化硅功率器件已完成系列可靠性验证项目，产品在高温工作、温度循环及功率循环等考核中表现稳定，为后续车规市场的规模化导入奠定了…

随着新能源汽车向更长续航与更快补能演进,800V高压平台正从少数高端车型走向更广泛的车型序列。相较400V平台,800V架构在快充与系统效率上的优势明显…

日前介绍，公司碳化硅器件制造环节的数字化智能车间已建成并投入使用。该车间通过引入制造执行系统与设备联网监控，实现了生产数据的实时采集与工艺过程的可追溯管…

在开关电源的功率因数校正(PFC)电路中,二极管的反向恢复特性直接影响系统效率与EMI表现。SiC肖特基二极管(SBD)几乎没有反向恢复电荷,能够有效消…

近日宣布，公司与高校及科研机构在第三代半导体领域的合作进一步深化，双方将围绕碳化硅、氮化镓关键工艺共建联合实验室，聚焦前沿技术研究与工程化应用的衔接。…

碳化硅单晶的生长,是整个SiC产业链中最基础也最艰难的一环。目前主流的物理气相传输法(PVT),需要在两千摄氏度以上的高温密闭环境中,让碳化硅粉料升华并…

对外披露，公司碳化硅器件可靠性实验室完成升级扩建，新增多套高温反偏、温度循环及功率循环测试设备，进一步完善了器件从早期筛选到长期寿命评估的全生命周期考核…

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其卓越的高频性能备受关注,但要真正走向高可靠应用,必须跨过可靠性这道关口。其中,动态导通电阻现象,是GaN器件区别…

近日组织了一场以技术攻关为主题的团队建设活动，来自工艺、设计、封装与测试等部门的研发人员齐聚一堂，围绕碳化硅器件研发中的共性难题展开交流与协作。…

之所以被称为第三代半导体,SiC与GaN的核心底气来自其宽禁带特性。相较硅约1.1电子伏特的禁带宽度,SiC与GaN的禁带宽度均在3电子伏特量级,这一材…