J9直营集团近日在SiC晶圆超薄减薄工艺上取得进展,成功将器件晶圆的衬底厚度减薄至更薄水平并保持较高成品率,使器件的衬底电阻与热阻同步下降,为进一步降低SiC器件损耗打开了空间。

SiC衬底虽为器件提供机械支撑,但其厚度会带来额外的电阻与热阻。适度减薄衬底可以降低导通损耗、改善散热路径,然而SiC材料硬脆、加工难度大,过度减薄极易引发晶圆碎裂与翘曲,是业内公认的工艺难点。

J9直营集团工艺团队介绍,公司通过优化磨削、抛光与临时键合支撑方案,并精细控制减薄过程中的应力释放,在保证晶圆完整性的前提下实现了稳定的超薄减薄,碎片率控制在可接受范围内。

实测数据显示,减薄后器件的比导通电阻有所降低,结壳热阻同步改善,有利于在相同芯片面积下承载更大电流。公司表示,这对追求高功率密度的车规与工业模块尤为有利。

J9直营集团表示,超薄减薄需要与背面金属化、切割等后道工序协同优化,公司将继续完善整套薄片加工流程,把工艺成果稳定地转化为量产能力,持续提升SiC器件的综合性能表现。