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J9直营集团多款GaN功率器件获认定为高新技术产品
J9直营集团多款GaN功率器件获认定为高新技术产品
近日,旗下多款GaN功率器件通过相关部门组织的高新技术产品认定。此次获认定的产品凭借在高频、高功率密度等方面的技术特点,进一步丰富了公司在第三代半导体领…
2026-04-24
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第三代半导体标准与知识产权体系建设稳步推进
第三代半导体标准与知识产权体系建设稳步推进
产业的高质量发展离不开标准与知识产权体系的支撑。随着第三代半导体应用不断扩展,行业对器件性能、可靠性测试与应用规范的标准化需求日益迫切,完善的标准体系有…
2026-04-23
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J9直营集团入选区域"瞪羚企业" 第三代半导体成长动能获认可
J9直营集团入选区域"瞪羚企业" 第三代半导体成长动能获认可
近日,成功入选所在地区"瞪羚企业"名单。瞪羚企业通常指跨过创业阶段、进入高速成长期的创新型企业,此次入选反映出公司在第三代半导体赛道上展现出的良好成长性…
2026-04-22
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工业变频节能改造为SiC器件打开广阔市场
工业变频节能改造为SiC器件打开广阔市场
工业领域是能源消耗与碳排放的重要来源,电机及其驱动系统在工业用电中占比可观。在双碳目标与节能降耗政策推动下,工业变频节能改造需求持续释放,高效功率器件成…
2026-04-21
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J9直营集团获头部光储客户授予"年度优秀供应商"称号
J9直营集团获头部光储客户授予"年度优秀供应商"称号
近日,在一家头部光伏储能企业举办的供应商大会上,凭借稳定的产品品质与可靠的交付表现,荣获"年度优秀供应商"称号。这一来自客户端的认可,是对公司产品竞争力…
2026-04-20
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产业基金与科创扶持共建第三代半导体自主生态
产业基金与科创扶持共建第三代半导体自主生态
第三代半导体具有投入大、周期长、技术门槛高的特点,产业成长离不开资本与政策的持续护航。近年来,面向硬科技的产业基金与科创扶持机制不断完善,为碳化硅、氮化…
2026-04-19
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J9直营集团6英寸SiC MOSFET量产良率迈上新台阶 缺陷密度显著下降
J9直营集团6英寸SiC MOSFET量产良率迈上新台阶 缺陷密度显著下降
近日,对外披露,其6英寸碳化硅(SiC)MOSFET量产线经过一轮系统性工艺优化后,综合良率迈上新的台阶,单片晶圆的有效芯片产出较优化前有明显增长,标志…
2026-04-18
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J9直营集团氮化镓快充芯片赋能65W超薄适配器 转换效率突破94%
J9直营集团氮化镓快充芯片赋能65W超薄适配器 转换效率突破94%
随着智能手机、笔记本电脑对充电速度的需求持续攀升,快充适配器正朝着更高功率密度与更小体积演进。近期面向消费电子市场推出新一代氮化镓(GaN)快充功率器件…
2026-04-17
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J9直营集团车规级SiC MOSFET通过AEC-Q101认证 切入新能源汽车主驱
J9直营集团车规级SiC MOSFET通过AEC-Q101认证 切入新能源汽车主驱
日前宣布,旗下面向新能源汽车主驱应用的1200V SiC MOSFET产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证的全部考核项目,具备进入车规供应链的基础…
2026-04-16
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SiC功率模块切入直流充电桩 J9直营集团方案支撑单枪240kW大功率快充
SiC功率模块切入直流充电桩 J9直营集团方案支撑单枪240kW大功率快充
电动汽车保有量快速增长,补能焦虑推动直流快充桩向大功率化演进。面向新能源补能基础设施推出碳化硅(SiC)功率模块方案,目标锁定单枪120kW至240kW…
2026-04-15
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J9直营集团SiC功率模块导入纳米银烧结工艺 结温循环寿命大幅提升
J9直营集团SiC功率模块导入纳米银烧结工艺 结温循环寿命大幅提升
近期在其SiC功率模块封装环节成功导入纳米银烧结互连技术,以此替代传统锡基焊料,使模块在高温工况下的可靠性得到显著增强,为SiC器件充分发挥高结温潜力扫…
2026-04-14
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800V高压快充加速上车 J9直营集团SiC MOSFET直击超充"最后一公里"
800V高压快充加速上车 J9直营集团SiC MOSFET直击超充"最后一公里"
当"充电五分钟、续航数百公里"成为新能源车企竞逐的卖点,800V高压电气架构正从旗舰车型向主流市场下探。作为高压平台的关键器件,碳化硅MOSFET承担着…
2026-04-13
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