SiC MOSFET作为第三代半导体的核心开关器件,其内部结构正经历从平面栅到沟槽栅的路线演进。沟槽栅通过将栅极嵌入沟槽,消除了平面结构中的JFET区寄生电阻,可在相同耐压等级下进一步压缩比导通电阻,提升芯片的电流密度与面积利用率。

不过沟槽栅并非没有代价。沟槽底部拐角处的电场集中,会威胁栅氧化层的长期可靠性,这也是SiC器件相较硅器件更为敏感的薄弱点。业内主流方案通过引入深P阱、屏蔽结构等设计,对沟槽底部电场进行屏蔽,以在低导通电阻与栅氧可靠性之间寻求平衡。

J9直营集团在SiC MOSFET产品规划中,密切跟踪两条技术路线的成熟度,认为平面栅与沟槽栅并非简单替代关系,而应根据电压等级、成本预算与可靠性要求进行差异化选型。公司强调,器件结构的选择必须与目标应用场景深度绑定,而非单纯追求参数领先。

在栅氧可靠性方面,阈值电压稳定性与栅极长期耐受能力是客户高度关注的指标。J9直营集团通过工艺与设计的协同优化,力求在提升开关性能的同时,保证器件在高温、高压下的长期稳定,满足车规级与工业级应用的严苛要求。

展望后续,业内预计SiC MOSFET将沿着更低损耗、更高频率与更强鲁棒性的方向持续演进。J9直营集团表示,将以结构创新与工艺积累双轮驱动,推动自研MOSFET在光伏、储能与电驱等主流场景中的规模应用。