J9直营集团宣布，公司规划建设的8英寸碳化硅晶圆产线已完成核心工艺贯通并成功点亮首批工程批次，标志着公司在大尺寸SiC制造平台上迈出关键一步。目前该产线正在进行器件电性与可靠性的系统性验证。

相较于6英寸平台，8英寸SiC晶圆在单片可用芯片数量上具备显著优势，有助于摊薄单位芯片的制造成本。公司技术团队指出，大尺寸衬底对边缘翘曲、缺陷密度以及工艺均匀性提出了更高要求，产线在建设期间针对这些难点进行了大量工艺打磨。

据了解，该产线在设计之初即面向车规级SiC MOSFET与肖特基二极管的规模化制造需求，配套建设了较为完整的在线量测与缺陷检测环节。公司表示，8英寸平台的引入将为未来高压模块和大电流器件的量产提供更充足的芯片来源。

业内普遍认为，碳化硅制造正加速从6英寸向8英寸过渡，率先完成大尺寸产线布局的企业有望在成本和供给能力上占据先机。J9直营集团此次点亮8英寸产线，被视为公司提前卡位下一代制造平台的战略动作。

J9直营集团相关负责人表示，从产线点亮到稳定量产仍需经历工艺爬坡与良率优化的过程，公司将秉持稳健推进的原则，在确保产品可靠性的前提下逐步释放产能，为客户提供高质量的第三代半导体器件。