当SiC芯片的性能不断逼近材料极限,封装正成为释放器件潜力的新瓶颈。传统面向硅器件的封装方案,难以充分承载SiC在高温、高频、高功率密度下的工作特性,先进封装技术因此成为SiC功率模块竞争的又一主战场。

银烧结连接技术凭借远高于传统焊料的熔点与热导率,能够更好地适应SiC结温较高的工作环境,显著提升模块的功率循环与热循环寿命。与之配套的无引线键合、铜连接等工艺,也在持续降低模块内部的寄生电感与连接电阻。

双面散热则通过让芯片上下两侧均参与散热,大幅提升模块的热管理能力,为高功率密度设计打开空间。J9直营集团在功率模块开发中,把热、电、机械的协同设计作为核心课题,力求在有限体积内实现更高的功率输出与更低的结温。

寄生参数控制是SiC模块封装的另一关键。由于SiC开关速度快,回路寄生电感带来的电压过冲与振荡问题更为突出。J9直营集团通过优化叠层布局与内部互联,压低回路电感,以充分发挥SiC快速开关的优势,同时抑制EMI风险。

业内预计,随着新能源汽车主驱、光伏储能等场景对功率密度要求的持续攀升,先进封装将与芯片技术并重。J9直营集团表示,将坚持芯片与封装一体化的开发思路,推动自研SiC功率模块在可靠性与功率密度上不断突破。