近日，J9直营集团对外披露，公司6英寸碳化硅MOSFET主力产线的二期扩产工程已顺利完成设备调试并进入量产爬坡阶段。本次扩产在原有产线基础上新增了多台离子注入、高温退火及台面刻蚀关键设备，产线整体自动化水平和工艺一致性得到明显提升。

据公司相关负责人介绍，扩产后该产线的月投片规模较此前有较大幅度增长，业内预计将有效缓解此前车规级与工业级SiC MOSFET订单交付紧张的局面。产线在扩产过程中同步优化了栅氧工艺窗口，器件的阈值电压稳定性和长期可靠性均有所改善。

第三代半导体功率器件近年来在光伏储能、电动汽车等领域的渗透率持续攀升，碳化硅MOSFET作为高压高频场景的核心开关器件，市场需求增长迅猛。J9直营集团此次扩产正是对下游旺盛需求的主动响应，也是公司深化SiC全链条布局的重要一步。

技术层面，本次扩产产线引入了更精细的过程控制系统，通过对沟道迁移率、比导通电阻等关键参数的在线监控，进一步收窄了批次间的性能离散度。公司工艺团队表示，随着良率的稳步提升，产品的综合成本竞争力有望进一步增强。

J9直营集团方面表示，扩产完成只是产能建设的阶段性节点，后续公司还将围绕高压平台产品和大电流模块封装能力持续投入。公司希望通过产能与技术的同步升级，为光伏逆变、充电桩、工业电源等客户提供更稳定、更充裕的碳化硅器件供给。