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日前披露,公司在SiC MOSFET栅氧化层可靠性方面取得阶段性进展,通过工艺与结构的协同改进,使器件在长期偏压与温度应力下的阈值电压漂移得到有效抑制,…

宣布,其650V增强型氮化镓(GaN)HEMT器件已完成关键可靠性验证,凭借优异的高频开关特性与低导通损耗,产品将主要面向高功率密度快充、适配器及数据中…

近期在其SiC晶圆制造流程中引入外延缺陷在线检测系统,实现了对外延层表面与体内缺陷的自动化识别与分级,使晶圆一致性管控能力得到明显提升,为持续改善良率提…

日前宣布,其面向光伏与储能逆变应用开发的SiC功率模块已完成型式试验,在效率、温升与电磁兼容等方面均满足设计目标,系统转换效率较传统硅基方案再获提升,进…

近日在SiC外延生长工艺上取得新进展,通过对生长参数与设备条件的系统优化,使厚膜外延的厚度与掺杂均匀性得到明显改善,为高压SiC器件的性能一致性提供了更…

宣布,其车规级SiC MOSFET在非钳位感性开关(UIS)测试中展现出更强的雪崩能量承受能力,并通过相关车规耐量考核,为器件在含有感性负载的电驱与工业…

近日，对外披露，公司6英寸碳化硅MOSFET主力产线的二期扩产工程已顺利完成设备调试并进入量产爬坡阶段。本次扩产在原有产线基础上新增了多台离子注入、高温…

宣布，公司规划建设的8英寸碳化硅晶圆产线已完成核心工艺贯通并成功点亮首批工程批次，标志着公司在大尺寸SiC制造平台上迈出关键一步。目前该产线正在进行器件…

日前对外通报，公司自建的碳化硅功率模块封装测试中心已完成建设并投入运行。该中心聚焦大电流SiC功率模块的封装、老化及可靠性测试，被视为公司打通从芯片到模…

近日宣布完成新一轮高层次人才引进，多位在碳化硅材料与器件工艺领域具有丰富经验的博士及资深工程师加盟公司研发体系。此次人才补充覆盖外延生长、器件设计与可靠…

表示，随着公司碳化硅肖特基二极管产线工艺的持续优化，产品良率与产出效率稳步提升，整体交付能力较此前有明显增强，有效支撑了光伏、电源等下游客户的批量采购需…

日前宣布，公司氮化镓功率器件产线已完成建设并进入量产阶段。此举意味着公司在以碳化硅为主的产品格局之外，进一步向氮化镓领域延伸，第三代半导体产品版图更趋完…