J9直营集团|Home

近日，旗下多款GaN功率器件通过相关部门组织的高新技术产品认定。此次获认定的产品凭借在高频、高功率密度等方面的技术特点，进一步丰富了公司在第三代半导体领…

近日，成功入选所在地区"瞪羚企业"名单。瞪羚企业通常指跨过创业阶段、进入高速成长期的创新型企业，此次入选反映出公司在第三代半导体赛道上展现出的良好成长性…

近日，在一家头部光伏储能企业举办的供应商大会上，凭借稳定的产品品质与可靠的交付表现，荣获"年度优秀供应商"称号。这一来自客户端的认可，是对公司产品竞争力…

近日,对外披露,其6英寸碳化硅(SiC)MOSFET量产线经过一轮系统性工艺优化后,综合良率迈上新的台阶,单片晶圆的有效芯片产出较优化前有明显增长,标志…

日前宣布,旗下面向新能源汽车主驱应用的1200V SiC MOSFET产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证的全部考核项目,具备进入车规供应链的基础…

近期在其SiC功率模块封装环节成功导入纳米银烧结互连技术,以此替代传统锡基焊料,使模块在高温工况下的可靠性得到显著增强,为SiC器件充分发挥高结温潜力扫…

日前宣布,已在自有产线上完成8英寸(200mm)碳化硅晶圆的关键工艺验证,打通了从衬底、外延到器件制程的整体流程,为后续向更大尺寸平台过渡积累了宝贵的工…

近日宣布,其新一代沟槽栅(Trench)结构SiC MOSFET已完成流片并通过初步电性能测试,芯片在导通电阻与开关特性上较上一代平面栅产品有明显优化,…

在其最新一代1200V SiC MOSFET产品上实现了短路耐受能力的明显提升,器件在规定条件下的短路耐受时间超过行业常规水平,为电动汽车主驱等对安全性…

日前透露,其面向800V高压电驱平台开发的双面散热SiC功率模块已进入车厂联合验证阶段,凭借更高的功率密度与更优的散热能力,有望成为下一代高性能电驱系统…

宣布,其第四代SiC肖特基二极管(SBD)已完成长期高温反偏(HTRB)等一系列严苛可靠性考核,漏电流稳定、浪涌承受能力进一步增强,进一步巩固了公司在S…

近日在SiC晶圆超薄减薄工艺上取得进展,成功将器件晶圆的衬底厚度减薄至更薄水平并保持较高成品率,使器件的衬底电阻与热阻同步下降,为进一步降低SiC器件损…