J9直营集团日前披露,公司在SiC MOSFET栅氧化层可靠性方面取得阶段性进展,通过工艺与结构的协同改进,使器件在长期偏压与温度应力下的阈值电压漂移得到有效抑制,提升了产品的长期稳定性。

栅氧可靠性一直是SiC MOSFET产业化的关键课题。由于SiC/二氧化硅界面态密度较高,器件在栅极偏压作用下容易出现阈值电压随时间缓慢漂移的现象,可能影响系统长期运行的一致性,因此备受行业关注。

J9直营集团研发团队表示,公司在栅氧化及退火环节引入了界面态钝化处理,降低了界面陷阱密度,并优化了栅氧厚度与工艺条件,使得正负偏压温度不稳定性考核中的阈值漂移幅度明显收窄。

在加速老化测试中,新工艺器件经历长时间高温栅偏后,阈值电压变化趋于平缓,栅极漏电保持在较低水平,表明栅氧质量与界面稳定性得到实质改善。公司认为,这为器件在整个生命周期内的稳定工作提供了保障。

J9直营集团表示,栅氧可靠性是一项需要长期打磨的系统工程,公司将持续结合失效物理分析与加速寿命模型完善评价方法,推动SiC MOSFET在车规与工业领域获得更广泛的信任与应用。