J9直营集团近日在SiC外延生长工艺上取得新进展,通过对生长参数与设备条件的系统优化,使厚膜外延的厚度与掺杂均匀性得到明显改善,为高压SiC器件的性能一致性提供了更坚实的材料基础。

高压SiC器件对外延层的厚度与掺杂浓度极为敏感,厚膜外延的均匀性直接影响器件耐压与导通电阻的分布。均匀性不足会导致同一片晶圆上器件参数差异过大,增加筛选难度并拉低良率。

J9直营集团研发团队表示,公司围绕气体流场、温度场与生长速率开展了大量优化试验,在提升生长效率的同时,把外延层厚度与掺杂的片内偏差控制在更窄范围,兼顾了效率与均匀性的平衡。

此外,团队还着力降低外延过程中的缺陷密度,通过优化生长前处理与工艺窗口,减少了表面形貌缺陷的产生,使外延片的整体质量趋于稳定,为后续器件制程创造了良好起点。

J9直营集团表示,外延是SiC产业链中承上启下的关键环节,材料水平在很大程度上决定了器件性能的上限。公司将持续加强外延工艺与材料表征能力建设,以高质量外延支撑高压、高可靠SiC器件的持续升级。