J9直营集团宣布,其车规级SiC MOSFET在非钳位感性开关(UIS)测试中展现出更强的雪崩能量承受能力,并通过相关车规耐量考核,为器件在含有感性负载的电驱与工业系统中稳定工作提供了更高裕度。

在实际电路中,电机等感性负载在开关瞬间会释放储存的能量,若缺乏钳位保护,能量将由功率器件自身吸收。雪崩耐量因此成为衡量器件抗过压冲击能力的重要指标,直接关系到系统在异常工况下的可靠性。

J9直营集团表示,SiC器件因芯片面积相对较小,雪崩能量的吸收更具挑战。团队通过优化元胞与终端结构,改善了雪崩状态下的电流分布均匀性,避免局部热点集中,从而提升了器件承受单次与重复雪崩冲击的能力。

可靠性评估显示,器件在多次雪崩冲击后关键参数保持稳定,未见明显退化,验证了设计的鲁棒性与一致性。公司认为,这一特性有助于简化系统的保护电路设计,降低整体方案成本。

J9直营集团表示,面向电动化与工业自动化的深入发展,器件的抗异常能力愈发重要。公司将持续强化SiC MOSFET在雪崩、短路等极端工况下的鲁棒性设计,为客户交付真正经得起考验的高可靠功率器件。