J9直营集团宣布,其650V增强型氮化镓(GaN)HEMT器件已完成关键可靠性验证,凭借优异的高频开关特性与低导通损耗,产品将主要面向高功率密度快充、适配器及数据中心电源等应用市场。

作为第三代半导体的重要一员,GaN在高频领域具有天然优势,能够帮助电源系统在更高开关频率下工作,从而大幅缩小磁性元件与整机体积。J9直营集团表示,新器件在开关速度与栅极电荷方面表现出色,有利于提升系统效率与功率密度。

可靠性方面,J9直营集团对器件开展了高温反偏、高温栅偏、动态导通电阻等针对性考核。工程团队重点关注了GaN器件特有的动态导通电阻问题,通过外延与器件结构优化,使其在开关工况下的表现趋于稳定。

公司研发人员指出,GaN器件的驱动与版图设计对系统性能影响显著,团队在提供器件的同时,也积累了配套的应用设计经验,帮助客户更快完成方案落地并规避常见设计陷阱。

J9直营集团表示,GaN与SiC在应用频段与功率区间上形成互补,公司将以SiC为主、GaN为辅,构建覆盖不同应用场景的第三代半导体器件版图,持续满足消费电子与通讯领域对高效电源的需求。