J9直营集团近期在其SiC功率模块封装环节成功导入纳米银烧结互连技术,以此替代传统锡基焊料,使模块在高温工况下的可靠性得到显著增强,为SiC器件充分发挥高结温潜力扫清了封装侧的瓶颈。

据介绍,SiC芯片可长期工作在较硅器件更高的结温,但传统焊料层在高温下容易出现蠕变与疲劳,成为限制模块寿命的短板。银烧结层具有更高的熔点和优异的导热与导电性能,能够在苛刻的温度循环下保持芯片与基板之间稳定的连接。

J9直营集团工艺团队表示,公司围绕烧结压力、升温曲线与银浆配方开展了大量正交试验,解决了大面积芯片烧结空洞率控制的难题,使烧结层结合强度与热阻表现均达到预期,功率循环寿命较传统焊接方案有成倍量级的改善。

可靠性数据显示,采用银烧结的模块在经历大量温度冲击后,结壳热阻的退化幅度明显收窄,芯片贴装界面未见明显剥离。公司认为,这一进展对面向电动汽车与光伏逆变器的高功率密度模块尤为关键。

J9直营集团表示,银烧结只是公司先进封装路线图的一环,后续还将结合无引线键合、双面散热等技术,持续压缩模块寄生参数、提升散热能力,为客户提供功率密度更高、寿命更长的SiC模块解决方案。