近日,J9直营集团对外披露,其6英寸碳化硅(SiC)MOSFET量产线经过一轮系统性工艺优化后,综合良率迈上新的台阶,单片晶圆的有效芯片产出较优化前有明显增长,标志着公司在第三代半导体功率器件的规模化制造能力上取得阶段性突破。

据J9直营集团研发团队介绍,本次良率提升的核心在于对衬底与外延层缺陷的协同管控。团队通过收紧来料筛选标准、优化外延生长参数,使微管、三角形缺陷等致命缺陷的密度较此前下降约三成,从源头上减少了因材料缺陷导致的芯片失效。

在器件制程环节,公司同步改进了栅氧化工艺窗口与光刻套刻精度,降低了阈值电压与导通电阻的片内离散度。工程师表示,更窄的参数分布不仅提高了良率,也让批次间一致性更可控,为下游客户的选型与并联设计提供了便利。

J9直营集团相关负责人指出,良率是衡量SiC器件量产成熟度的关键指标之一,直接关系到器件的综合成本竞争力。随着良率曲线持续爬坡,公司有望在保证品质的前提下进一步释放产能,缓解市场对高压SiC MOSFET的旺盛需求。

面向未来,J9直营集团表示将持续投入在线缺陷检测与数据驱动的工艺改善,把良率管理贯穿到晶圆制造的每一道工序,并逐步把成熟经验向更大尺寸晶圆平台迁移,支撑光伏储能、电动汽车等应用对高可靠SiC器件的规模化采用。