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宣布量产新一代SiC肖特基二极管，覆盖650V与1200V主流电压平台。新品在正向压降与反向漏电之间实现更优平衡，适用于PFC升压、光伏逆变及电源续流等…

车规级功率器件需要经受严苛的环境与寿命考验,行业普遍以AEC-Q系列标准作为可靠性验证的重要参考。宣布,其车规SiC器件顺利通过AEC-Q101相关认证…

宣布面向模块封装厂商开放SiC MOSFET裸芯片供货，提供650V至1200V多个电压平台的裸片产品。此举旨在为下游模块与电源厂商提供更灵活的芯片选型…

800V高压平台在提升充电速度与系统效率的同时,也对功率半导体器件提出了新的技术挑战。更高的母线电压要求器件具备足够的阻断电压裕度,而更高的功率密度则对…

推出面向直流充电桩的SiC功率模块，聚焦大功率快充与车网互动应用。模块适用于充电桩的AC-DC与DC-DC功率变换环节，可支撑更高的单枪充电功率与更紧凑…

SiC MOSFET要充分发挥其高效率优势,合理的栅极驱动设计不可或缺。与硅基器件相比,SiC MOSFET的栅极电压窗口与开关特性有所不同,驱动电压、…

发布全SiC半桥功率模块新品，面向工业变频、电源及新能源等领域，为客户从硅基IGBT向碳化硅升级提供高性价比路径。模块采用半桥拓扑，兼容多种主流工业封装…

在电动汽车中,DC-DC变换器负责将动力电池的高压电转换为低压电,为整车控制器、照明、娱乐等低压负载供电,是整车电源架构中的重要一环。随着800V平台的…

推出面向数据中心与通讯电源的SiC MOSFET新品，主攻服务器电源与基站电源等高效率场景。随着算力需求激增，电源效率成为数据中心节能降耗的关键，碳化硅…

为提升集成度、降低成本与重量,电驱系统正从分立部件走向集成化,将电机、减速器与控制器整合为三合一电驱总成已成为行业主流趋势。高度集成的总成对功率模块的紧…

发布采用沟槽栅结构的新一代SiC MOSFET，进一步刷新导通性能与芯片面积效率。相较平面栅结构，沟槽栅技术可提升沟道密度，在相同芯片面积下实现更低的比…

SiC器件的性能优势要真正落地到整车,离不开先进封装技术的支撑。相较于芯片本身,封装决定了模块的散热能力、寄生参数与长期可靠性,是车规SiC模块工程化的…