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日前对外介绍其碳化硅肖特基二极管的完整产品矩阵，电压等级覆盖650V、750V、1200V与1700V等多个主流区间，电流规格从数安培延伸至数十安培，形…

随着新能源汽车对续航与充电体验的要求不断提高,车载充电机(OBC)正朝着更高功率、更小体积与更高效率的方向发展。氮化镓(GaN)器件的高频特性,为OBC…

宣布推出一款满足车用可靠性要求的碳化硅肖特基二极管，产品已按照行业通行的车规离散器件认证体系完成系统考核，面向电动汽车充电、DC-DC及高压辅助系统等对…

在中功率电源与工业应用中,650V电压等级正成为氮化镓(GaN)器件的主流规格。增强型(e-mode)GaN HEMT以其常关特性与优良的开关性能,逐步…

面向数据中心与服务器电源市场，推出新一代650V碳化硅肖特基二极管，重点服务于高功率密度AC-DC电源中的图腾柱功率因数校正环节，助力电源厂商在有限空间…

在分布式光伏与户用储能快速发展的背景下,组件级电力电子(MLPE)受到越来越多关注。氮化镓(GaN)器件的高频高效特性,为微逆变器实现更高转换效率与更紧…

日前发布升级版碳化硅结势垒肖特基（JBS）二极管，采用公司最新第三代工艺平台，通过优化外延、终端与元胞设计，在保持低反向漏电流的前提下进一步降低正向压降…

近年来,氮化镓(GaN)快充产品从高端旗舰配件逐步走向大众市场,多口氮化镓充电器、笔记本电源与移动电源等品类持续扩容。业内普遍认为,GaN快充正从概念普…

近日推出采用表面贴装封装的650V碳化硅肖特基二极管，主打紧凑型高功率密度电源与快充适配器市场，可与氮化镓（GaN）开关器件搭配，共同支撑小体积、大功率…

在氮化镓(GaN)功率器件的发展过程中,增强型(e-mode)与耗尽型加共源共栅(Cascode)两种结构路线长期并存。二者在驱动方式、开关特性与可靠性…

宣布推出一款主打高浪涌电流承受能力的碳化硅结势垒肖特基（JBS）二极管，专为电网波动、雷击浪涌频发的工业与光伏应用设计，旨在提升整流器件在恶劣工况下的生…

氮化镓(GaN)器件的高开关速度对封装提出了严苛要求。过大的寄生电感会引起电压过冲、振荡与损耗,直接影响器件在高频下的性能表现,因此低寄生封装成为GaN…