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近日推出一款支持175℃高结温工作的碳化硅肖特基二极管，充分发挥SiC材料宽禁带、高热导率的优势，面向工业控制、汽车电子及户外光伏等对高温可靠性要求苛刻…

随着消费电子无线充电功率的提升与多设备充电需求的增长,发射端电源对高频与高效的要求不断提高。氮化镓(GaN)器件的高频开关特性,为无线充电方案的效率与体…

面向快速增长的储能市场，推出适配储能变流器（PCS）的碳化硅肖特基二极管系列，覆盖1200V等主流电压等级，助力储能系统在充放电双向变流中实现更高效率与…

氮化镓(GaN)器件的成本竞争力在很大程度上取决于外延与晶圆制造。GaN on Si路线可借助成熟的硅基产线,通过向更大尺寸晶圆演进来摊薄制造成本,被视…

日前介绍其碳化硅肖特基二极管的量产进展，多款主力型号已完成从试产到规模量产的过渡，产能与良率同步爬坡，交付能力稳步提升，为下游光伏、储能与电源客户的批量…

在卫星通信、相控阵雷达与遥感探测等高端射频应用中,系统对功率密度、带宽与可靠性提出很高要求。氮化镓(GaN)凭借高击穿电场与优异高频特性,正成为这些领域…

近日发布面向直流充电桩的碳化硅结势垒肖特基（JBS）二极管系列，覆盖1200V等电压等级，重点服务于大功率直流快充模块中的高频整流与续流环节，助力充电设…

氮化镓(GaN)器件的高开关速度对栅极驱动提出了远高于硅器件的要求。驱动芯片的传播延迟、驱动能力与共模瞬态抗扰度(CMTI),直接决定了GaN在高频下能…

宣布，其高压碳化硅肖特基二极管开始导入轨道交通辅助电源与充电装置等应用，凭借高耐压、低损耗与优异的高温可靠性，为轨道车辆电力电子系统的高效化与轻量化提供…

在工业自动化与高速电机等应用中,驱动系统对效率、动态响应与体积提出更高要求。氮化镓(GaN)器件的高频特性,为电机驱动实现更精细的调制与更紧凑的结构提供…

近日推出一款以低反向漏电流为特色的碳化硅结势垒肖特基（JBS）二极管，通过优化元胞与边缘终端结构，在保持低正向压降的同时明显降低反偏漏电，兼顾整流效率与…

随着氮化镓(GaN)器件在快充、电源与工业领域的应用不断扩展,其长期可靠性成为产业关注的核心议题。动态导通电阻、栅极稳定性与高压退化等问题,是评估GaN…