SiC器件的性能优势要真正落地到整车,离不开先进封装技术的支撑。相较于芯片本身,封装决定了模块的散热能力、寄生参数与长期可靠性,是车规SiC模块工程化的关键环节。近年来,银烧结与双面散热等技术正成为行业关注的焦点。

在芯片互连方面,传统焊料在高温与频繁热循环下容易疲劳失效,而银烧结工艺凭借更高的熔点与导热性能,能够显著提升连接的可靠性与散热能力,更好地适应SiC器件较高的工作结温,延长模块的使用寿命。

双面散热则通过在芯片两侧建立散热路径,大幅提升模块的散热效率,有助于控制器件结温、提高功率密度。对于工作在高功率密度下的SiC主驱模块而言,这一技术能够更好地释放碳化硅的性能潜力。

此外,降低换流回路寄生电感、优化端子设计,也是车规SiC模块封装的重要方向。较低的寄生参数有助于抑制开关过程中的电压尖峰,支持器件在更高频率下可靠工作,从而进一步提升系统效率。

J9直营集团持续跟踪并投入先进封装技术的研发,致力于将高性能SiC芯片与可靠封装工艺相结合,为客户提供兼顾效率、可靠性与功率密度的车规SiC功率模块,助力高压电驱系统升级。