J9直营集团发布采用沟槽栅结构的新一代SiC MOSFET，进一步刷新导通性能与芯片面积效率。相较平面栅结构，沟槽栅技术可提升沟道密度，在相同芯片面积下实现更低的比导通电阻。

J9直营集团技术团队介绍，新一代器件通过优化沟槽形貌与栅氧工艺，在降低导通电阻的同时兼顾了栅氧可靠性与阈值稳定性，缓解了沟槽栅结构在电场集中方面的挑战，提升了器件的长期可靠性。

更低的比导通电阻意味着在相同电流下具备更小的导通损耗与芯片成本优势。据介绍，该器件在1200V平台上的导通电阻较上一代平面产品明显下降，同时保持了良好的开关特性与短路耐受能力。

沟槽栅技术被视为碳化硅器件降本增效的重要方向。业内预计，随着工艺成熟，沟槽栅SiC MOSFET将逐步成为主流。J9直营集团表示，新平台将率先应用于光伏、储能与车载等对效率与成本敏感的场景。

J9直营集团相关负责人表示，公司在碳化硅芯片工艺上持续投入，已构建从平面到沟槽的多代技术储备。未来将围绕沟槽栅平台拓展更丰富的电压与电流规格，强化产品竞争力。