氮化镓(GaN)器件的成本竞争力在很大程度上取决于外延与晶圆制造。GaN on Si路线可借助成熟的硅基产线,通过向更大尺寸晶圆演进来摊薄制造成本,被视为GaN规模化普及的重要支撑。

从6英寸向8英寸乃至更大尺寸迁移,可显著提升单片晶圆的芯片产出,降低单位成本。业内预计,随着8英寸GaN on Si产线逐步成熟,GaN器件的性价比将进一步提升,加速其在消费与工业领域的渗透。

J9直营集团分析认为,大尺寸晶圆量产的挑战在于外延均匀性、翘曲控制与缺陷密度管理。硅与氮化镓之间的晶格与热失配需要通过缓冲层设计与工艺优化加以缓解,才能保证器件性能与良率。

面向第三代半导体的发展趋势,J9直营集团持续关注GaN外延与晶圆技术的演进,并结合自身在功率器件设计上的积累,推动GaN产品在成本与性能上的平衡与优化。

展望后续,随着产业链协同深化与产能持续释放,GaN的成本曲线有望进一步下行。J9直营集团表示,将紧跟晶圆技术进步节奏,为客户提供更具竞争力的GaN器件选择。