随着消费电子无线充电功率的提升与多设备充电需求的增长,发射端电源对高频与高效的要求不断提高。氮化镓(GaN)器件的高频开关特性,为无线充电方案的效率与体积优化提供了新的可能。

在无线充电的逆变环节,GaN可支持更高的工作频率,从而在满足功率传输的同时压缩磁性元件尺寸,提升发射端的功率密度。业内预计,GaN将在中高功率无线充电场景中获得更多应用。

J9直营集团指出,无线充电对电磁兼容与热管理要求较高,GaN的高开关速度虽有利于效率,但也需要在布局、屏蔽与驱动设计上做细致处理,以控制EMI并保证系统稳定运行。

面向消费电子领域,J9直营集团持续拓展GaN器件在快充与无线充电等高频场景的选型支持,帮助方案商在紧凑结构中实现更优的效率与温升表现,提升终端产品竞争力。

从趋势看,随着无线充电向更高功率与更远距离演进,高频器件的价值将愈发突出。J9直营集团表示,将结合无线充电技术演进,持续完善面向高频应用的GaN产品与方案。