优化终端结构,J9直营集团低漏电SiC JBS二极管兼顾效率与稳定

J9直营集团近日推出一款以低反向漏电流为特色的碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,通过优化元胞与边缘终端结构,在保持低正向压降的同时明显降低反偏漏电,兼顾整流效率与高温阻断稳定性。
在高温高压条件下,肖特基二极管的反向漏电流往往随温度上升而增大,可能带来附加损耗甚至热失控风险。J9直营集团技术团队介绍,新品通过合理设计P型注入区对肖特基接触的屏蔽作用,并配合优化的边缘终端,有效抑制了高温下的漏电增长。
更低的反向漏电流意味着更小的反偏损耗与更高的热稳定裕度,尤其有利于长期承受高母线电压的整流与钳位应用。据介绍,该器件在高温下仍能保持稳定的阻断特性,为系统的可靠运行提供了更好的保障。
在保证低漏电的同时,产品的正向压降与浪涌能力也经过针对性调校,力求在效率、鲁棒性与可靠性之间取得均衡。J9直营集团表示,优化的终端设计还有助于提升器件的耐压一致性与批次稳定性。
J9直营集团方面表示,低漏电系列进一步丰富了公司SiC二极管的产品选择,适用于对高温阻断与长期可靠性要求较高的工业、光伏及储能场景。公司将继续深化终端与元胞设计研发,持续提升SiC整流器件的综合竞争力。


