J9直营集团近日发布面向直流充电桩的碳化硅结势垒肖特基（JBS）二极管系列，覆盖1200V等电压等级，重点服务于大功率直流快充模块中的高频整流与续流环节，助力充电设备实现更高效率与更紧凑的功率密度。

大功率充电模块普遍采用高频软开关拓扑，对续流二极管的动态特性要求较高。J9直营集团表示，SiC JBS二极管几乎无反向恢复损耗且浪涌承受能力强，可在高频运行下降低损耗，同时抵御电网侧扰动与负载突变带来的瞬态冲击。

在典型的三相PFC与LLC或移相全桥拓扑中，该系列可与SiC MOSFET组成高效功率级，帮助单个充电模块在缩小体积的同时提升输出功率，契合当前充电桩向高压大电流演进的趋势。业内预计，SiC方案将成为大功率快充模块的主流选择之一。

考虑到充电桩多为户外长期运行，新品在高温与可靠性方面进行了强化，最高工作结温达175℃，配合优化的封装散热设计，可适应昼夜温差与高负载的严苛工况，降低现场维护频次。

J9直营集团方面表示，公司将围绕充电模块厂商的功率等级与拓扑需求，持续完善SiC二极管的规格与封装选择，并提供从器件选型到热管理的应用支持，加快SiC器件在充电基础设施中的规模化应用。