随着新能源汽车对续航与充电体验的要求不断提高,车载充电机(OBC)正朝着更高功率、更小体积与更高效率的方向发展。氮化镓(GaN)器件的高频特性,为OBC的小型化与轻量化提供了新的技术路径。

在双向OBC与车载DC-DC集成方案中,GaN可将开关频率显著提升,从而减小磁性元件与滤波电容的体积与重量。业内预计,采用GaN的高频OBC有望在同等功率下实现更优的功率密度表现。

J9直营集团分析指出,车规级应用对器件可靠性、结温耐受与长期稳定性提出严苛要求,GaN上车需要在栅极稳定性、动态导通电阻与雪崩能力等方面通过充分的车规验证,才能满足整车对安全与寿命的期待。

面向电动汽车领域,J9直营集团以SiC MOSFET与功率模块支撑主驱与大功率快充,同时关注GaN在OBC等中功率环节的应用潜力,推动第三代半导体在整车电气架构中的多层次落地。

从产业节奏看,GaN与SiC在车载场景并非简单替代,而是按电压与功率分工协同。J9直营集团表示,将结合整车厂与Tier1的实际需求,持续完善面向车载应用的器件选型与技术方案。