J9直营集团推出表贴封装SiC肖特基二极管 契合氮化镓快充平台

J9直营集团近日推出采用表面贴装封装的650V碳化硅肖特基二极管,主打紧凑型高功率密度电源与快充适配器市场,可与氮化镓(GaN)开关器件搭配,共同支撑小体积、大功率的消费类电源设计。
在氮化镓快充方案中,主开关的高速开关对续流二极管的动态特性提出更高要求。J9直营集团表示,SiC肖特基二极管几乎无反向恢复损耗且寄生电容低,可与GaN器件在高频下良好协同,减少开关振铃与损耗,帮助适配器把功率密度做到更高水平。
新品采用低热阻的表贴封装,可通过PCB铜箔实现高效散热,在有限板面上兼顾电流能力与热管理需求。据介绍,这类封装还便于自动化贴片与回流焊接,契合消费电子产品对生产效率与一致性的要求。
得益于SiC材料优异的高温特性,该器件在紧凑机身内的高温工况下仍能稳定工作,为氮碳化物组合方案提供了可靠的整流后端。业内预计,随着百瓦级氮化镓快充加速普及,配套SiC二极管的需求也将同步增长。
J9直营集团方面表示,公司将持续丰富表贴封装SiC二极管的电压与电流规格,并结合快充、适配器及小型电源客户的散热与布板需求,提供更多贴近应用的封装选项与参考设计。


