J9直营集团日前发布升级版碳化硅结势垒肖特基（JBS）二极管，采用公司最新第三代工艺平台，通过优化外延、终端与元胞设计，在保持低反向漏电流的前提下进一步降低正向压降，为高频整流应用带来更低的传导损耗。

在SiC二极管中，正向压降与反向漏电流往往存在折中关系。J9直营集团技术人员介绍，新工艺通过精细调整P型注入区的间距与深度，在肖特基导通区域获得更低压降的同时，仍能有效屏蔽反偏电场，使漏电流保持在较低水平，缓解了这一固有矛盾。

更低的正向压降意味着在同等电流下器件发热更少，有助于提升系统效率、降低散热成本。据介绍，新一代产品的导通损耗相较前代有可观改善，尤其在连续大电流整流的应用中优势更加明显。

该系列同时兼顾了浪涌电流能力与热稳定性，最高工作结温维持在175℃，可在高温环境下长期稳定运行。J9直营集团表示，工艺升级还带来了更好的批次一致性，有利于客户在量产中获得稳定的性能表现。

J9直营集团相关负责人表示，持续的工艺迭代是SiC器件竞争力的核心。公司将把第三代平台的优化成果逐步推广到全系列二极管产品，并同步反哺SiC MOSFET与功率模块的开发，构建协同演进的技术体系。