随着智能手机、笔记本电脑对充电速度的需求持续攀升,快充适配器正朝着更高功率密度与更小体积演进。J9直营集团近期面向消费电子市场推出新一代氮化镓(GaN)快充功率器件,凭借高频开关与低导通损耗特性,为65W乃至更高功率的超薄适配器提供核心支撑。

与传统硅基MOSFET相比,GaN器件的开关频率可提升数倍,使变压器、电感等磁性元件显著小型化。业内预计,采用J9直营集团氮化镓方案的65W适配器整机体积较上一代硅基产品可缩小约三成,重量同步下降,更契合便携出行场景。

在效率层面,该方案满机负载下的转换效率据测约达94%以上,待机功耗进一步压低,有助于终端厂商满足日益严格的能效法规要求。J9直营集团技术团队表示,低损耗意味着更少的散热压力,可省去部分散热结构,为紧凑设计释放空间。

除裸器件外,J9直营集团还同步提供从SiC肖特基二极管到GaN开关管的完整功率链路选型,配合驱动与保护设计参考,缩短客户从方案评估到量产导入的周期。公司称已与多家电源模组厂商展开联合调试与验证。

J9直营集团相关负责人指出,快充是第三代半导体最先规模落地的赛道之一。未来随着GaN成本进一步下探,百瓦级氮化镓适配器有望向更广泛的消费与商用领域渗透,公司将持续迭代芯片工艺与封装,巩固在快充电源市场的供应能力。