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工业与数据机房对供电连续性要求苛刻,在线式UPS成为主流选择,但其双重变换架构带来额外能耗。面向不间断电源市场推出碳化硅与氮化镓协同方案,帮助UPS在保…

工商业光伏与储能装机持续放量,变流环节的效率与功率密度直接关系到项目收益。面向光伏储能领域推出碳化硅(SiC)功率器件方案,助力组串式逆变器与储能变流器…

电解、电镀、老化测试等工业场景需要大电流、高稳定的直流电源,能耗与散热是长期痛点。面向工业直流电源推出碳化硅(SiC)功率模块方案,以更高效率与功率密度…

电机控制器(电控)是新能源汽车动力系统的核心,其效率直接影响整车续航。面向电动汽车电驱推出车规级碳化硅(SiC)MOSFET方案,助力主逆变器在效率与功…

工业电机耗电量占全社会用电的相当比重,变频与伺服驱动的效率提升对节能意义重大。面向工业控制领域推出碳化硅(SiC)功率器件方案,助力变频器与伺服驱动器降…

变频空调、冰箱压缩机与各类风机正追求更高能效与更低噪声,功率器件的选择成为关键。面向消费电子与轻型电机驱动推出氮化镓(GaN)功率器件方案,助力变频家电…

碳化硅衬底作为第三代半导体产业链的价值高地,其尺寸从6英寸(150mm)向8英寸(200mm)的跨越,被业内视为决定SiC器件成本曲线走向的关键一役。相…

如果说SiC衬底是地基,那么外延层就是直接决定器件性能的承重墙。功率器件的耐压能力、漏电水平与长期可靠性,很大程度上取决于外延层的厚度均匀性、掺杂浓度精…

SiC MOSFET作为第三代半导体的核心开关器件,其内部结构正经历从平面栅到沟槽栅的路线演进。沟槽栅通过将栅极嵌入沟槽,消除了平面结构中的JFET区寄…

相较于以高压见长的碳化硅,氮化镓(GaN)凭借更高的开关频率与优异的高频损耗表现,在中低压、高功率密度领域占据独特优势。从手机快充适配器到数据中心服务器…

第三代半导体产业链条长、环节多,从高纯粉料、单晶生长、衬底加工,到外延、芯片设计、晶圆制造,再到封装测试与模块集成,每一环都构成独立的技术门槛。产业链的…

当SiC芯片的性能不断逼近材料极限,封装正成为释放器件潜力的新瓶颈。传统面向硅器件的封装方案,难以充分承载SiC在高温、高频、高功率密度下的工作特性,先…