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在双碳目标驱动下,光伏与储能装机规模持续扩大,系统对转换效率与功率密度的要求水涨船高。以SiC为代表的第三代半导体器件,凭借低开关损耗与耐高温特性,正成…

随着新能源汽车向更长续航与更快补能演进,800V高压平台正从少数高端车型走向更广泛的车型序列。相较400V平台,800V架构在快充与系统效率上的优势明显…

在开关电源的功率因数校正(PFC)电路中,二极管的反向恢复特性直接影响系统效率与EMI表现。SiC肖特基二极管(SBD)几乎没有反向恢复电荷,能够有效消…

碳化硅单晶的生长,是整个SiC产业链中最基础也最艰难的一环。目前主流的物理气相传输法(PVT),需要在两千摄氏度以上的高温密闭环境中,让碳化硅粉料升华并…

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其卓越的高频性能备受关注,但要真正走向高可靠应用,必须跨过可靠性这道关口。其中,动态导通电阻现象,是GaN器件区别…

之所以被称为第三代半导体,SiC与GaN的核心底气来自其宽禁带特性。相较硅约1.1电子伏特的禁带宽度,SiC与GaN的禁带宽度均在3电子伏特量级,这一材…

轨道交通是典型的大功率、高可靠应用场景,牵引变流器作为列车动力的心脏,其效率与体积直接关系到能耗与车辆设计。随着SiC器件的成熟,牵引系统正迎来一轮以S…

SiC器件的高性能,不仅来自优异的材料,更依赖精细的芯片设计。从元胞结构、终端设计到版图布局,每一处细节都影响着器件的导通电阻、耐压能力与开关特性。而在…

在智能电网与柔性交直流输电的演进中,电力电子装备正扮演愈发关键的角色。从柔性直流输电到静止无功补偿,高压大容量变换装置对功率器件的耐压、损耗与可靠性提出…