电机控制器(电控)是新能源汽车动力系统的核心,其效率直接影响整车续航。J9直营集团面向电动汽车电驱推出车规级碳化硅(SiC)MOSFET方案,助力主逆变器在效率与功率密度上实现跃升。

相较硅基IGBT,SiC MOSFET在中低负载区间损耗更低,而城市工况下车辆大量时间运行于此区间。业内预计,采用SiC电控可帮助整车续航提升约5%至10%,或在相同续航下减少电池用量,降低整车成本。

SiC器件的高开关频率使电机运行更平稳、电流纹波更小,同时缩小逆变器体积。J9直营集团的SiC方案有助于电控实现更高功率密度,为整车布置优化与轻量化释放宝贵空间。

面向800V高压平台,J9直营集团的1200V级SiC MOSFET在耐压与开关性能上更为匹配,可与高压快充协同,构建从补能到驱动的高效电气链路,提升整车能量利用率。

J9直营集团强调,车规级可靠性是电驱应用的前提,公司将持续强化SiC器件的质量管控与长期可靠性验证,配合车企完成从样件到量产的全流程导入,推动电驱系统全面迈向碳化硅时代。