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随着消费电子无线充电功率的提升与多设备充电需求的增长,发射端电源对高频与高效的要求不断提高。氮化镓(GaN)器件的高频开关特性,为无线充电方案的效率与体…

氮化镓(GaN)器件的成本竞争力在很大程度上取决于外延与晶圆制造。GaN on Si路线可借助成熟的硅基产线,通过向更大尺寸晶圆演进来摊薄制造成本,被视…

在卫星通信、相控阵雷达与遥感探测等高端射频应用中,系统对功率密度、带宽与可靠性提出很高要求。氮化镓(GaN)凭借高击穿电场与优异高频特性,正成为这些领域…

氮化镓(GaN)器件的高开关速度对栅极驱动提出了远高于硅器件的要求。驱动芯片的传播延迟、驱动能力与共模瞬态抗扰度(CMTI),直接决定了GaN在高频下能…

在工业自动化与高速电机等应用中,驱动系统对效率、动态响应与体积提出更高要求。氮化镓(GaN)器件的高频特性,为电机驱动实现更精细的调制与更紧凑的结构提供…

随着氮化镓(GaN)器件在快充、电源与工业领域的应用不断扩展,其长期可靠性成为产业关注的核心议题。动态导通电阻、栅极稳定性与高压退化等问题,是评估GaN…

随着新能源汽车向更高效率、更快补能持续演进,800V高压电气架构正从高端车型向主流市场快速下探。业内预计,未来数年内搭载800V平台的车型占比将显著提升…

车载充电机(OBC)负责将交流电网电能转换为动力电池所需的直流电,其效率与功率密度直接影响用户的日常补能体验与整车布置空间。在OBC的功率因数校正(PF…

面向800V高压平台对功率器件耐压与效率的双重需求,正式推出1200V车规级SiC MOSFET产品。该器件针对主驱逆变、车载充电与直流快充等应用进行优…

为缓解用户的补能焦虑,大功率直流快充与超充网络正在加速铺开,单枪功率不断向更高等级迈进。高功率密度的充电桩对功率器件的效率与可靠性提出更高要求,SiC器…

主逆变器是电驱系统的核心部件,负责将电池直流电转换为驱动电机的三相交流电,其性能直接决定整车的动力表现与能耗水平。长期以来,硅基IGBT是主逆变器的主流…

车载充电机正从单向充电向双向能量流动演进,双向OBC不仅能为电池充电,还可将车载能量回馈电网或对外供电,支撑车网互动(V2G)与对外放电(V2L)等应用…