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800V高压平台普及 SiC MOSFET替代IGBT进程明显提速
800V高压平台普及 SiC MOSFET替代IGBT进程明显提速
八百伏高压平台的推广,正在成为碳化硅功率器件市场加速的重要催化剂。业内分析认为,高压平台与SiC MOSFET之间存在天然的适配关系,这一趋势有力推动了…
2026-08-21
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工业电源与电机驱动 SiC渗透进入加速拐点
工业电源与电机驱动 SiC渗透进入加速拐点
在汽车与新能源之外,工业电源与电机驱动正逐步成为碳化硅功率器件不可忽视的应用市场。业内观察认为,随着成本下降与方案成熟,SiC在工业领域的渗透正接近一个…
2026-08-19
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新型电力系统加快建设 为SiC器件打开长周期成长赛道
新型电力系统加快建设 为SiC器件打开长周期成长赛道
随着智能电网与新型电力系统建设的深入推进,碳化硅功率器件迎来了新的长周期应用赛道。业内预计,在电力电子化程度不断提升的大趋势下,SiC器件将在电网侧与用…
2026-08-17
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氮化镓快充芯片集成度提升 单芯片方案加速普及
氮化镓快充芯片集成度提升 单芯片方案加速普及
随着消费电子对充电器体积与效率的双重要求不断提高,氮化镓(GaN)功率器件正加速替代传统硅基方案。观察到,当前主流快充芯片正从分立器件向高集成单芯片方向…
2026-08-15
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氮化镓射频器件助力5G基站功放效率再上台阶
氮化镓射频器件助力5G基站功放效率再上台阶
在5G宏基站与大规模天线阵列(Massive MIMO)持续部署的背景下,射频功率放大器的效率与功率密度成为决定整机能耗的关键。氮化镓(GaN)因其高击…
2026-08-13
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AI算力驱动服务器电源升级 氮化镓成高效供电关键
AI算力驱动服务器电源升级 氮化镓成高效供电关键
生成式人工智能带来的算力需求激增,使数据中心单机柜功率不断攀升,服务器电源的效率与功率密度面临前所未有的考验。氮化镓(GaN)器件凭借高频高效的特性,正…
2026-08-11
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氮化镓上车提速 车载充电机迈向高频高密度
氮化镓上车提速 车载充电机迈向高频高密度
随着新能源汽车对续航与充电体验的要求不断提高,车载充电机(OBC)正朝着更高功率、更小体积与更高效率的方向发展。氮化镓(GaN)器件的高频特性,为OBC…
2026-08-09
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650V增强型氮化镓HEMT成中功率应用主力器件
650V增强型氮化镓HEMT成中功率应用主力器件
在中功率电源与工业应用中,650V电压等级正成为氮化镓(GaN)器件的主流规格。增强型(e-mode)GaN HEMT以其常关特性与优良的开关性能,逐步…
2026-08-07
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氮化镓赋能光伏微逆变器 组件级发电效率提升
氮化镓赋能光伏微逆变器 组件级发电效率提升
在分布式光伏与户用储能快速发展的背景下,组件级电力电子(MLPE)受到越来越多关注。氮化镓(GaN)器件的高频高效特性,为微逆变器实现更高转换效率与更紧…
2026-08-05
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氮化镓快充渗透率持续走高 市场进入规模放量期
氮化镓快充渗透率持续走高 市场进入规模放量期
近年来,氮化镓(GaN)快充产品从高端旗舰配件逐步走向大众市场,多口氮化镓充电器、笔记本电源与移动电源等品类持续扩容。业内普遍认为,GaN快充正从概念普…
2026-08-03
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增强型与共源共栅之争 氮化镓器件结构路线解析
增强型与共源共栅之争 氮化镓器件结构路线解析
在氮化镓(GaN)功率器件的发展过程中,增强型(e-mode)与耗尽型加共源共栅(Cascode)两种结构路线长期并存。二者在驱动方式、开关特性与可靠性…
2026-08-01
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氮化镓器件封装革新 低寄生电感封装成性能关键
氮化镓器件封装革新 低寄生电感封装成性能关键
氮化镓(GaN)器件的高开关速度对封装提出了严苛要求。过大的寄生电感会引起电压过冲、振荡与损耗,直接影响器件在高频下的性能表现,因此低寄生封装成为GaN…
2026-07-30
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