面向800V高压平台对功率器件耐压与效率的双重需求,J9直营集团正式推出1200V车规级SiC MOSFET产品。该器件针对主驱逆变、车载充电与直流快充等应用进行优化,旨在为客户提供兼顾高性能与高可靠性的功率半导体核心方案。

在800V母线电压下,系统对器件的阻断电压提出更高要求,1200V等级的SiC MOSFET在保证足够电压裕度的同时,仍能维持较低的导通电阻。这意味着在相同电流条件下,器件的导通损耗与开关损耗均可得到有效控制,从而支撑更高的系统效率与功率密度。

该系列产品在栅氧可靠性、阈值电压稳定性以及短路耐受能力等方面进行了针对性设计,并按照车规标准完成相关可靠性验证,以应对车用环境中的高温、振动与频繁热循环等严苛工况。同时提供多种封装形式,方便客户灵活选型。

J9直营集团介绍,新品在栅极驱动匹配方面提供了较宽的设计窗口,配合合理的驱动电阻与钳位设计,可在快速开关与开关振荡抑制之间取得平衡,降低电驱与充电系统的EMC设计难度,缩短客户的开发周期。

随着1200V SiC MOSFET的推出,J9直营集团进一步完善了从二极管、MOSFET到功率模块的车规SiC产品体系。公司表示,将围绕800V平台的应用需求持续迭代芯片与封装技术,推动碳化硅在新能源汽车领域的深度渗透。