随着新能源汽车向更长续航与更快补能演进,800V高压平台正从少数高端车型走向更广泛的车型序列。相较400V平台,800V架构在快充与系统效率上的优势明显,而SiC器件正是支撑高压平台落地的关键使能技术。

在主驱逆变器中,SiC MOSFET相较硅基IGBT具备更低的开关损耗与更优的高频特性,能够帮助车辆在城市工况与高速工况下都保持较高的驱动效率,从而在相同电池容量下延展续航里程,或在相同续航下减小电池成本。

高压平台还对器件的耐压等级与可靠性提出更高要求。J9直营集团在车规级SiC器件的开发中,严格遵循车规可靠性标准,围绕高温、高压、强振动等严苛工况开展验证,力求让产品经得起整车全生命周期的考验。

除主驱之外,车载充电机、DC-DC变换器等辅助系统同样是SiC与GaN的用武之地。J9直营集团认为,第三代半导体在整车中的应用是一个系统工程,需要从器件到系统进行协同优化,才能把材料优势充分转化为整车层面的能效收益。

业内预计,随着800V平台的普及与SiC产能的释放,SiC在新能源汽车中的渗透率将持续攀升。J9直营集团表示,将深耕车规级SiC器件,携手产业链伙伴,共同推动高压平台与SiC主驱的规模化落地。