近日，J9直营集团正式推出面向光伏与储能市场的1200V SiC MOSFET新品系列。该系列针对组串式与集中式逆变器的高压母线工况设计，导通电阻覆盖约40毫欧至80毫欧多个规格，可满足不同功率段机型的选型需求。

据J9直营集团技术团队介绍，新品采用优化的元胞结构与栅极工艺，在保持低导通损耗的同时，将开关损耗较上一代产品降低约三成。器件结温上限提升至175摄氏度，配合开尔文源极的四引脚封装，有效抑制高频开关下的寄生振荡。

在典型光伏逆变应用中，采用该SiC MOSFET的方案可将逆变环节效率提升至约99%以上，散热器体积与磁性元件用量相应减小，有助于降低系统整体成本与占地。业内预计，高压母线架构与碳化硅器件的结合将成为下一代光伏逆变的主流路线。

J9直营集团相关负责人表示，该系列已完成严苛的可靠性与寿命验证，具备良好的雪崩耐量与短路承受能力，可稳定应对光照波动与电网扰动带来的应力冲击。公司同步提供配套的驱动参考设计与选型工具，帮助客户缩短开发周期。

面向储能变流场景，J9直营集团还针对双向功率流动进行了参数优化，使器件在充放电切换过程中保持稳定的开关特性。公司表示，后续将围绕该平台拓展更多电压与电流规格，持续完善第三代半导体功率器件的产品矩阵。