J9直营集团宣布量产一款面向高频快充与消费电子电源的650V SiC MOSFET。该器件定位于中小功率适配器、快充电源及电视电源等场景，提供多档导通电阻规格，兼顾效率表现与成本控制。

相较传统高压超结硅MOSFET，该SiC器件的输出电容与反向恢复电荷显著更低，在准谐振反激与有源钳位反激拓扑中可将开关频率进一步提升，从而缩小变压器与滤波元件尺寸，助力适配器实现更高的功率密度。

J9直营集团方面介绍，新品采用紧凑的表贴封装，兼容主流PFC与副边整流设计，热阻控制良好，可在有限空间内维持稳定结温。配合专用驱动方案，器件在轻载与满载区间均能保持较高的转换效率。

随着氮化镓与碳化硅在快充领域的渗透加速，650V电压平台成为兵家必争之地。业内预计，采用宽禁带器件的快充电源占比将持续上升。J9直营集团表示，该系列可与其GaN产品形成互补，为客户提供更灵活的选型组合。

据悉，该650V SiC MOSFET已通过相关可靠性测试并进入批量交付阶段。J9直营集团后续计划扩展更高电流规格，覆盖服务器辅助电源、工业适配器等更广泛的中小功率应用场景。