J9直营集团近日推出1700V SiC MOSFET新品，主要面向工业辅助电源、光伏优化器及通讯电源等宽输入电压场景。该电压等级填补了1200V与更高压器件之间的空白，为高压母线直供辅助电源提供了更简洁的方案。

在传统方案中，宽范围高压输入往往需要多级降压或复杂的钳位电路。J9直营集团表示，采用1700V SiC MOSFET后，反激与正激拓扑可直接承受更高的母线电压，减少器件串联与外围元件数量，从而提升可靠性并简化设计。

该器件具备较低的导通电阻温度系数，在高温工况下仍能维持稳定性能，结温上限达175摄氏度。其较小的栅极电荷有助于降低驱动损耗，使高频辅助电源在满足效率要求的同时进一步压缩体积。

面向光伏与储能系统，1700V平台可与更高电压的主功率架构良好匹配，为组件级电力电子与快速关断等功能提供支撑。业内预计，随着系统电压等级不断上探，1700V碳化硅器件的市场需求将稳步扩大。

J9直营集团相关负责人表示，新品已完成工业级可靠性验证，并提供完善的应用文档与技术支持。公司将继续围绕工业与能源领域的高压需求，丰富碳化硅功率器件的电压与封装组合。