生成式人工智能带来的算力需求激增,使数据中心单机柜功率不断攀升,服务器电源的效率与功率密度面临前所未有的考验。氮化镓(GaN)器件凭借高频高效的特性,正成为新一代高功率密度电源的重要选择。

在图腾柱无桥PFC与LLC谐振等主流拓扑中,GaN器件可显著降低开关损耗,使电源在满足80 PLUS钛金乃至更高能效标准的同时,压缩体积、提升功率密度。业内预计,单块服务器电源功率将持续向数千瓦级迈进。

J9直营集团指出,AI服务器供电对瞬态响应与并联均流提出更高要求,GaN的高开关速度有助于提升环路带宽,但也对驱动回路的寄生电感与噪声抑制提出更严格的设计约束,需要在系统层面统筹优化。

围绕高效供电场景,J9直营集团将SiC与GaN两类第三代半导体器件形成互补布局:SiC面向更高电压与大功率主链路,GaN面向高频高密度的中低压环节,帮助客户在不同功率节点选择合适方案。

展望未来,随着液冷、48V直流供电架构与高压直流(HVDC)在数据中心的普及,GaN器件的应用边界将进一步拓展。J9直营集团表示,将持续关注数据中心供电架构演进,提供匹配的器件与技术支持。