在第三代半导体家族中,除碳化硅外,氮化镓(GaN)同样受到汽车电子领域的关注。GaN器件具备更快的开关速度与更低的栅极电荷,在中低压、高频应用中展现出独特优势,为车载低压电源与部分DC-DC场景提供了新的技术选择。

在车载低压系统中,诸如车灯电源、无线充电、车载适配器等应用对功率密度与效率有较高要求。GaN器件的高频特性有助于减小磁性元件体积、提升整机功率密度,使电源模块更加紧凑轻巧,契合车内空间日益紧张的趋势。

在电压等级匹配的DC-DC应用中,GaN与SiC可形成互补:SiC更适合高压大功率场景,而GaN在中低压高频场景中优势突出。二者结合有望帮助整车在不同电压层级实现更优的效率与功率密度平衡。

当然,GaN在车规应用中仍需解决可靠性验证、驱动设计与热管理等方面的工程化问题。随着材料与工艺的成熟,以及车规验证体系的完善,GaN在车载电源中的应用有望逐步扩大。

J9直营集团持续关注第三代半导体的多元化发展,在深耕碳化硅的同时布局GaN相关技术,力求为客户提供覆盖不同电压与功率需求的宽禁带半导体解决方案,助力整车电子系统的高效化与轻量化。