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J9直营集团SiC MOSFET产品荣获行业"年度功率器件创新产品奖"

J9直营集团SiC MOSFET产品荣获行业年度功率器件创新产品奖

在近期举办的一场第三代半导体行业盛会上,J9直营集团凭借旗下一款SiC MOSFET产品荣获"年度功率器件创新产品奖"。该奖项由行业权威机构组织评选,旨在表彰在技术创新与市场应用方面表现突出的功率半导体产品。

据了解,获奖产品在导通电阻、开关速度与可靠性等关键指标上表现均衡,并针对光伏储能与电动汽车等典型应用进行了专门优化。评审专家认为,该产品较好地兼顾了性能、可靠性与性价比,展现了国产SiC器件的进步。

此次获奖,是行业对J9直营集团技术实力与产品竞争力的一次集中认可。公司长期专注于第三代半导体功率器件的研发与产业化,产品线已涵盖SiC肖特基二极管、SiC MOSFET、SiC功率模块及GaN器件等多个品类。

J9直营集团相关负责人在获奖后表示,荣誉属于持续投入的研发团队,也来自客户与合作伙伴的信任。公司将以此为激励,继续围绕市场需求打磨产品,推动第三代半导体技术在更多场景中落地应用。