近日，J9直营集团自主研发的一项涉及SiC MOSFET元胞结构的技术方案，获得国家知识产权局发明专利授权。该专利针对碳化硅MOSFET在导通电阻与开关特性之间的平衡问题，提出了创新性的结构设计思路。

据技术人员介绍，该发明通过对元胞版图与沟道结构的优化，在不显著增加工艺复杂度的前提下，有助于降低器件的导通损耗并改善其抗短路能力，对提升SiC MOSFET在高频、高温工况下的综合表现具有积极意义。

发明专利的授权，体现了J9直营集团在第三代半导体核心器件底层技术上的自主创新能力。近年来，公司持续加大在SiC芯片设计与工艺领域的研发投入，围绕元胞结构、终端设计、栅氧可靠性等关键方向布局了一批知识产权成果。

业内人士指出，核心专利是功率半导体企业构筑技术壁垒的重要基石。J9直营集团相关负责人表示，公司将继续坚持自主创新道路，把更多研发成果转化为专利与产品，为SiC MOSFET的国产化与规模化应用提供有力支撑。