在近期举办的SNEC国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会上,J9直营集团以「碳化硅赋能光伏平价」为主题设立展台,集中展示了面向组串式及集中式逆变器的第三代半导体功率器件解决方案,吸引了众多光伏系统集成商与逆变器厂商驻足交流。

本次展会的核心展品是J9直营集团最新量产的1200V SiC MOSFET系列。相较传统硅基IGBT方案,该系列器件凭借更低的开关损耗与更高的开关频率,可帮助光伏逆变器整机效率提升至约99%以上,同时显著缩小磁性元件与散热结构体积,为高功率密度设计提供了坚实的器件基础。

现场技术人员围绕1500V系统电压趋势,重点介绍了SiC器件在提升MPPT路数、降低度电成本方面的价值。据业内预计,随着组串功率不断攀升,SiC方案在中大功率光伏逆变器中的渗透率有望持续走高,而器件的可靠性与一致性正成为客户选型的关键考量。

除单管产品外,J9直营集团还展出了针对光伏优化的SiC功率模块,采用低寄生电感封装设计,兼顾散热与电气性能。工作人员表示,模块化方案可缩短客户研发周期,便于快速导入不同功率平台的逆变器产品线。

展会期间,J9直营集团与多家逆变器及储能系统厂商就联合验证、样品送测等事宜进行了深入沟通。公司相关负责人表示,将持续以光伏储能场景为重要牵引,推动碳化硅器件在新能源领域的规模化应用,助力行业迈向更高效率与更低成本。