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SiC MOSFET
GS3M0120120D
V(ds)=1200V,I(ds)=28A ,导通电阻R(dson)=104mΩ,TO-247-3封装,
主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
产品详情
产品描述
产品特点
产品优势
产品应用
产品描述
V(ds)=1200V,I(ds)=28A ,导通电阻R(dson)=104mΩ,TO-247-3封装,
主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
产品特点
1
耐高压,低导通电阻
2
高速开关,低电容
3
易于并联,驱动简单
4
符合RoHS标准
产品优势
1
更低损耗
2
更高可靠性
3
提高系统功率密度
应用领域
产品选型